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首页 全部分类 FDP027N08B-F102 vs IPP023N08N5AKSA1

FDP027N08B-F102备选型号: IPP023N08N5AKSA1

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDP027N08B-F102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    1.8g
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    246W
    47 ns
    N-Channel
    2.7m Ω @ 100A, 10V
    4.5V @ 250μA
    13530pF @ 40V
    178nC @ 10V
    66ns
    ±20V
    41 ns
    223A
    20V
    80V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP023N08N5AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
    -
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    6.000006g
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    -
    28 ns
    N-Channel
    2.3m Ω @ 100A, 10V
    3.8V @ 208μA
    12100pF @ 40V
    166nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    20 ns
    120A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2013
    3
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    1
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    TO-220AB
    80V
    0.0023Ohm
    480A
    674 mJ
    含铅
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