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首页 全部分类 FDP030N06 vs IPP040N06N3GXKSA1

FDP030N06备选型号: IPP040N06N3GXKSA1

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDP030N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    2.421g
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    231W
    39 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.2m Ω @ 75A, 10V
    4.5V @ 250μA
    9815pF @ 25V
    151nC @ 10V
    178ns
    ±20V
    33 ns
    193A
    TO-220AB
    20V
    60V
    772A
    15.38mm
    10.1mm
    4.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP040N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - MOSFET, N CH, 90A, 60V, PG-TO220-3
    -
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    增强型MOSFET
    188W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 90μA
    11000pF @ 30V
    98nC @ 10V
    70ns
    ±20V
    5 ns
    90A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    60V
    0.004Ohm
    165 mJ
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