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首页 全部分类 FDP038AN06A0 vs IRF1405ZPBF

FDP038AN06A0备选型号: IRF1405ZPBF

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDP038AN06A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    17A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.8MOhm
    60V
    80A
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    6400pF @ 25V
    124nC @ 10V
    144ns
    ±20V
    60 ns
    80A
    4V
    TO-220AB
    20V
    60V
    625 mJ
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1405ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4.9Ohm
    55V
    75A
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.9m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    4780pF @ 25V
    180nC @ 10V
    110ns
    ±20V
    82 ns
    75A
    4V
    TO-220AB
    20V
    55V
    420 mJ
    9.017mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    600A
    55V
    4 V
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