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FDP045N10A备选型号: TK100E10N1,S1X

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底架
安装类型
包装/外壳
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
操作温度
包装
系列
无铅代码
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
配置
操作模式
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
RoHS状态
工厂交货时间
引脚数
已出版

FDP045N10A

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3

通孔
通孔
TO-220-3
120A Tc
4V @ 250μA
-55°C~175°C TJ
Tube
PowerTrench®
yes
Obsolete
1 (Unlimited)
Single
增强型MOSFET
N-Channel
4.5m Ω @ 100A, 10V
5270pF @ 50V
74nC @ 10V
100V
±20V
120A
符合RoHS标准
-
-
-
TK100E10N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 100V 100A TO220

通孔
通孔
TO-220-3
100A Ta
4V @ 1mA
150°C TJ
Tube
U-MOSVIII-H
-
活跃
不适用
-
-
N-Channel
3.4m Ω @ 50A, 10V
8800pF @ 50V
140nC @ 10V
100V
±20V
100A
符合RoHS标准
12 Weeks
3
2014
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