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首页 全部分类 FDP050AN06A0 vs IRF1010EPBF

FDP050AN06A0备选型号: IRF1010EPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 附加功能
  • 螺纹距离
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDP050AN06A0
    ON Semiconductor
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220; PowerTrench®
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    18A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    5MOhm
    Tin (Sn)
    60V
    未说明
    80A
    未说明
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    245W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    3900pF @ 25V
    80nC @ 10V
    160ns
    ±20V
    29 ns
    80A
    4V
    TO-220AB
    20V
    60V
    470 mJ
    175°C
    20.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1010EPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    84A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    12mOhm
    -
    60V
    -
    84A
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    3210pF @ 25V
    130nC @ 10V
    78ns
    ±20V
    53 ns
    84A
    4V
    TO-220AB
    20V
    60V
    -
    -
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    通孔
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    2.54mm
    75A
    60V
    4 V
    无
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