ON Semiconductor FQP85N06

工厂交货时间

5 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

175 ns

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

85A Tc

已出版

2013

系列

QFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

10MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

85A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

电压

60V

元素配置

Single

电流

85A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

160W

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 42.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4120pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

112nC @ 10V

上升时间

230ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

170 ns

连续放电电流(ID)

85A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

栅源电压

4 V

宽度

4.7mm

长度

10.1mm

高度

9.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅