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FDP060AN08A0备选型号: IRF2805PBF
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 阈值电压
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
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- 无铅
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB9 WeeksACTIVE (Last Updated: 2 days ago)TO-220-3通孔通孔31.8gSILICON37 ns2002PowerTrench®Tube-55°C~175°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR996MOhmTin (Sn)75V80ASingle增强型MOSFET255WDRAIN19 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA5150pF @ 25V95nC @ 10V79ns±20V38 ns80A4VTO-220AB20V75V4.83mm10.67mm9.4mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅-----
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB12 Weeks-TO-220-3通孔通孔3-SILICON75A Tc2002HEXFET®Tube-55°C~175°C TJ--活跃1 (Unlimited)3EAR994.7Ohm-55V75ASingle增强型MOSFET330WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING4.7m Ω @ 104A, 10V4V @ 250μA5110pF @ 25V230nC @ 10V120ns±20V110 ns75A4VTO-220AB20V55V4.826mm10.668mm16.51mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE700A55V120 ns4 V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF1405ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | 对比 |
| IRF2805PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB | 对比 |
| IRF2807PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S | 对比 |
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