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首页 全部分类 FDP2532 vs IRFB4228PBF

FDP2532备选型号: IRFB4228PBF

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDP2532
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    8A Ta 79A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    16MOhm
    Tin (Sn)
    150V
    79A
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 33A, 10V
    4V @ 250μA
    5870pF @ 25V
    107nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    17 ns
    79A
    4V
    TO-220AB
    20V
    8A
    150V
    400 mJ
    105 ns
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4228PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    -
    1
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    15MOhm
    -
    -150V
    -83A
    Single
    -
    330W
    -
    18 ns
    N-Channel
    -
    15mOhm @ 33A, 10V
    5V @ 250μA
    4530pF @ 25V
    107nC @ 10V
    -
    ±30V
    -
    83A
    3V
    -
    30V
    -
    150V
    -
    110 ns
    16.51mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TO-220AB
    通孔
    175°C
    -40°C
    150V
    150V
    4.53nF
    15mOhm
    15 mΩ
    30 V
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