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首页 全部分类 FDP2532 vs IRFB4321PBF

FDP2532备选型号: IRFB4321PBF

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  • 晶体管应用
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 恢复时间
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 终端
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDP2532
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    9 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    1.8g
    SILICON
    4V @ 250μA
    39 ns
    2013
    PowerTrench®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    16MOhm
    Tin (Sn)
    150V
    79A
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 33A, 10V
    5870pF @ 25V
    107nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    17 ns
    79A
    4V
    TO-220AB
    20V
    8A
    150V
    400 mJ
    105 ns
    4.83mm
    10.67mm
    9.4mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4321PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
    12 Weeks
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    SILICON
    5V @ 250μA
    85A Tc
    2008
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    150V
    83A
    Single
    增强型MOSFET
    330mW
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 33A, 10V
    4460pF @ 50V
    110nC @ 10V
    60ns
    ±30V
    35 ns
    83A
    5V
    TO-220AB
    30V
    75A
    150V
    -
    130 ns
    4.82mm
    10.6426mm
    9.02mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    通孔
    150V
    5 V
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