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FDP2572备选型号: IRFB5615PBF
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 恢复时间
MOSFET N-CH 150V 29A TO-220ABACTIVE (Last Updated: 3 days ago)9 Weeks通孔通孔TO-220-331.8gSILICON4A Ta 29A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®2002e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)150V未说明29A未说明不合格Single增强型MOSFET135WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING54m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1770pF @ 25V34nC @ 10V14ns±20V14 ns29A4VTO-220AB20V4A0.054Ohm150V4 V9.4mm10.67mm4.83mm无SVHCROHS3 Compliant无铅--
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB-12 Weeks通孔通孔TO-220-33-SILICON35A Tc-55°C~175°C TJTube-2006--活跃1 (Unlimited)3EAR99--未说明-未说明不合格Single增强型MOSFET144WDRAIN8.6 nsN-ChannelAMPLIFIER39m Ω @ 21A, 10V5V @ 100μA1750pF @ 50V40nC @ 10V23.1ns±20V13.2 ns35A3VTO-220AB20V--150V3 V9.02mm10.668mm4.826mm无SVHCROHS3 Compliant无铅39MOhm120 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTP35N15G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 37A TO220AB | 对比 |
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB | 对比 |
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | IRFB4615PBF N-channel MOSFET Transistor, 35 A, 150 V, 3-Pin TO-220AB | 对比 |
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