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首页 全部分类 FDP33N25 vs IRFB23N20DPBF

FDP33N25备选型号: IRFB23N20DPBF

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 箱体转运
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDP33N25
    ON Semiconductor
    MOSFET 250V N-Channel MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    33A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    94MOhm
    雪崩 额定
    250V
    未说明
    33A
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    235W
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    94m Ω @ 16.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2135pF @ 25V
    48nC @ 10V
    230ns
    ±30V
    120 ns
    33A
    5V
    TO-220AB
    30V
    250V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB23N20DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
    -
    14 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2000
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    100MOhm
    -
    200V
    -
    24A
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    170W
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 14A, 10V
    5.5V @ 250μA
    1960pF @ 25V
    86nC @ 10V
    32ns
    ±30V
    16 ns
    24A
    5.5V
    TO-220AB
    30V
    200V
    4.69mm
    10.54mm
    4.699mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    通孔
    DRAIN
    96A
    200V
    250 mJ
    5.5 V
    无
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