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首页 全部分类 FDP3632 vs IRFB4410PBF

FDP3632备选型号: IRFB4410PBF

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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 螺纹距离
  • 反向恢复时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDP3632
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    12A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2004
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    9MOhm
    100V
    44A
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    6000pF @ 25V
    110nC @ 10V
    39ns
    ±20V
    46 ns
    80A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4410PBF
    Infineon Technologies
    Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 8 Milliohms; Id 88A; TO-220AB; Pd 200W; Vf 1.3V
    -
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    88A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    10mOhm
    100V
    96A
    Single
    增强型MOSFET
    250W
    -
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 58A, 10V
    4V @ 150μA
    5150pF @ 50V
    180nC @ 10V
    80ns
    ±20V
    50 ns
    88A
    4V
    TO-220AB
    20V
    100V
    9.017mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    镍外哑光锡
    250
    30
    2.54mm
    38 ns
    75A
    100V
    220 mJ
    4 V
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