FDP39N20备选型号: FQP19N20
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 引脚数
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 螺纹距离
- 反向恢复时间
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 200V 39A TO-220ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-220-31.8gSILICON39A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)快速切换R-PSFM-T3Single增强型MOSFET251W30 nsN-ChannelSWITCHING66m Ω @ 19.5A, 10V5V @ 250μA2130pF @ 25V49nC @ 10V160ns±30V150 ns39ATO-220AB30V0.066Ohm200V860 mJ无ROHS3 Compliant-----------------
- MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-220-31.8gSILICON19.4A Tc-55°C~150°C TJTubeQFET®e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)--Single增强型MOSFET140W20 nsN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 9.7A, 10V5V @ 250μA1600pF @ 25V40nC @ 10V190ns±30V80 ns19.4ATO-220AB30V-200V250 mJ无ROHS3 Compliant32000通孔150mOhm200V19.4A2.54mm140 ns5V78A200V5 V15.38mm10.2mm4.7mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP3P20 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220 | 对比 | |
| FQP19N20 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220 | 对比 | |
![]() | STP30NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |



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