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FDP51N25备选型号: IRFB4332PBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 箱体转运
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDP51N25
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    51A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    60MOhm
    Tin (Sn)
    快速切换
    Single
    增强型MOSFET
    320W
    62 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 25.5A, 10V
    5V @ 250μA
    3410pF @ 25V
    70nC @ 10V
    465ns
    ±30V
    130 ns
    51A
    5V
    TO-220AB
    30V
    250V
    204A
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB4332PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    60A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    33MOhm
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    390W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    33m Ω @ 35A, 10V
    5V @ 250μA
    5860pF @ 25V
    150nC @ 10V
    -
    ±30V
    -
    60A
    5V
    TO-220AB
    30V
    250V
    -
    19.8mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    250V
    60A
    1
    DRAIN
    250V
    290 ns
    175°C
    5 V
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