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首页 全部分类 FDP52N20 vs IRFB38N20DPBF

FDP52N20备选型号: IRFB38N20DPBF

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  • 接通延迟时间
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 箱体转运
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDP52N20
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 52A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    52A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    49MOhm
    雪崩能源评级
    200V
    52A
    Single
    增强型MOSFET
    357W
    53 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    49m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    2900pF @ 25V
    63nC @ 10V
    175ns
    ±30V
    29 ns
    52A
    5V
    TO-220AB
    30V
    200V
    208A
    2520 mJ
    9.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB38N20DPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2002
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    54Ohm
    -
    200V
    38A
    Single
    增强型MOSFET
    320W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    54m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    2900pF @ 25V
    91nC @ 10V
    95ns
    ±20V
    47 ns
    44A
    5V
    TO-220AB
    30V
    200V
    -
    460 mJ
    9.017mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DRAIN
    200V
    240 ns
    5 V
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