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首页 全部分类 FDP6670AL vs FDP8896

FDP6670AL备选型号: FDP8896

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDP6670AL
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    80A Ta
    -65°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    Single
    68W
    N-Channel
    6.5m Ω @ 40A, 10V
    3V @ 250μA
    2440pF @ 15V
    33nC @ 5V
    13ns
    ±20V
    15 ns
    80A
    20V
    30V
    30V
    1.9 V
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8896
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    16A Ta 92A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    80W
    N-Channel
    5.9m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2525pF @ 15V
    67nC @ 10V
    103ns
    ±20V
    44 ns
    92A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    5.9MOhm
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    30V
    92A
    30V
    60A
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    74 mJ
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无铅
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