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首页 全部分类 FDP6670AL vs IRLB8748PBF

FDP6670AL备选型号: IRLB8748PBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDP6670AL
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    80A Ta
    -65°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2003
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    通孔
    Single
    68W
    N-Channel
    6.5m Ω @ 40A, 10V
    3V @ 250μA
    2440pF @ 15V
    33nC @ 5V
    13ns
    ±20V
    15 ns
    80A
    20V
    30V
    30V
    1.9 V
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLB8748PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    通孔
    Single
    75W
    N-Channel
    4.8m Ω @ 40A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2139pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    96ns
    ±20V
    34 ns
    92A
    20V
    30V
    30V
    1.8 V
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    3
    EAR99
    4.8MOhm
    未说明
    未说明
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    TO-220AB
    78A
    35 ns
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无铅
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