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首页 全部分类 FDP8443-F085 vs IPP100N04S303AKSA1

FDP8443-F085备选型号: IPP100N04S303AKSA1

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDP8443-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    20A Ta 80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    188W
    DRAIN
    18.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    9310pF @ 25V
    185nC @ 10V
    17.9ns
    ±20V
    13.5 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    20A
    40V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP100N04S303AKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tube
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    增强型MOSFET
    214W
    -
    30 ns
    N-Channel
    -
    2.8m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 150μA
    9600pF @ 25V
    145nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    17 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    2007
    EAR99
    超低电阻
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    40V
    0.0028Ohm
    400A
    898 mJ
    含铅
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