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首页 全部分类 FDP8870 vs IRL3713PBF

FDP8870备选型号: IRL3713PBF

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  • 输入电容
  • 场效应管技术
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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 无铅
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  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 附加功能
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • ON Semiconductor
    FDP8870
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    TO-220AB
    3
    1.8g
    1
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4.1MOhm
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    30V
    160W
    160A
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    105ns
    30V
    N-CHANNEL
    46 ns
    156A
    2.5V
    20V
    30V
    5.2nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
    2.5 V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL3713PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
    -
    14 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    260A Tc
    Tube
    2003
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3mOhm
    -
    -
    -
    30V
    -
    250A
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    16 ns
    SWITCHING
    160ns
    -
    -
    57 ns
    260A
    2.5V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    2.5 V
    9.017mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    通孔
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    HEXFET®
    雪崩 额定
    N-Channel
    3m Ω @ 38A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5890pF @ 15V
    110nC @ 4.5V
    ±20V
    TO-220AB
    75A
    30V
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