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首页 全部分类 FDP8870 vs IRL7833PBF

FDP8870备选型号: IRL7833PBF

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  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 无铅
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  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • ON Semiconductor
    FDP8870
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    TO-220AB
    3
    1.8g
    1
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4.1MOhm
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    30V
    160W
    160A
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    11 ns
    SWITCHING
    105ns
    30V
    N-CHANNEL
    46 ns
    156A
    2.5V
    20V
    30V
    5.2nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
    2.5 V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL7833PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
    -
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    150A Tc
    Tube
    2004
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.8MOhm
    -
    -
    -
    30V
    -
    150A
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    18 ns
    SWITCHING
    50ns
    -
    -
    6.9 ns
    150A
    2.3V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    2.3 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    通孔
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    HEXFET®
    N-Channel
    3.8m Ω @ 38A, 10V
    2.3V @ 250μA
    4170pF @ 15V
    47nC @ 4.5V
    ±20V
    TO-220AB
    75A
    600A
    560 mJ
    63 ns
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