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首页 全部分类 FDP8870-F085 vs IRL7833PBF

FDP8870-F085备选型号: IRL7833PBF

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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDP8870-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    19A Ta 156A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    11 ns
    N-Channel
    4.1m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    5200pF @ 15V
    132nC @ 10V
    105ns
    ±20V
    46 ns
    19A
    20V
    30V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL7833PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    150A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    18 ns
    N-Channel
    3.8m Ω @ 38A, 10V
    2.3V @ 250μA
    4170pF @ 15V
    47nC @ 4.5V
    50ns
    ±20V
    6.9 ns
    150A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    SILICON
    2004
    3
    EAR99
    3.8MOhm
    30V
    150A
    DRAIN
    SWITCHING
    2.3V
    TO-220AB
    75A
    600A
    560 mJ
    63 ns
    2.3 V
    8.763mm
    10.5156mm
    4.69mm
    无SVHC
    无铅
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