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首页 全部分类 FDP8876 vs FDP6670AL

FDP8876备选型号: FDP6670AL

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 终端
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDP8876
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 70A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    70W
    9 ns
    N-Channel
    8.7m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1700pF @ 15V
    45nC @ 10V
    97ns
    ±20V
    39 ns
    70A
    30V
    30V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP6670AL
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    80A Ta
    -65°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2003
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    68W
    -
    N-Channel
    6.5m Ω @ 40A, 10V
    3V @ 250μA
    2440pF @ 15V
    33nC @ 5V
    13ns
    ±20V
    15 ns
    80A
    20V
    30V
    无
    符合RoHS标准
    通孔
    30V
    1.9 V
    无SVHC
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