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FDP8880备选型号: NTP65N02R
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- HTS代码
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 Weeks通孔通孔TO-220-331.8gSILICON11A Ta 54A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®2005e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9911.6MOhmTin (Sn)30V未说明54A未说明不合格Single增强型MOSFET55WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING11.6m Ω @ 40A, 10V2.5V @ 250μA1240pF @ 15V29nC @ 10V107ns±20V51 ns54A2.5VTO-220AB20V30V2.5 V9.65mm10.67mm4.83mm无SVHCROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB--通孔通孔TO-220-3--SILICON7.6A Ta 58A Tc-55°C~150°C TJTube-2012e0-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99-Tin/Lead (Sn/Pb)24V24065A30不合格Single增强型MOSFET62.5WDRAIN-N-ChannelSWITCHING10.5m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1330pF @ 20V9.5nC @ 4.5V53ns±20V10 ns58A-TO-220AB20V24V-----Non-RoHS Compliant含铅8541.29.00.95not_compliant3R-PSFM-T325V7.6A0.0105Ohm160A60 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDP7030BL | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | 对比 |
| NTP65N02RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB | 对比 |
| NTP65N02R | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB | 对比 |
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