FDP8896备选型号: NTP85N03
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET 30V N-Channel PowerTrenchACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON16A Ta 92A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®2004e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR995.9MOhmTin (Sn)8541.29.00.9530V92A30VSingle60A增强型MOSFET80WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING5.9m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA2525pF @ 15V67nC @ 10V103ns±20V44 ns92ATO-220AB20V30V74 mJ9.4mm10.67mm4.83mm无ROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB--通孔通孔TO-220-3-SILICON85A Tc-55°C~150°C TJTube-2005e0-Obsolete1 (Unlimited)3EAR99-Tin/Lead (Sn/Pb)-28V85A-Single-增强型MOSFET80WDRAIN-N-ChannelSWITCHING6.8m Ω @ 40A, 10V3V @ 250μA2150pF @ 24V29nC @ 4.5V22ns±20V30 ns85ATO-220AB20V28V61 mJ----Non-RoHS Compliant含铅240not_compliant303R-PSFM-T3不合格15A0.0068Ohm45A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTP85N03 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB | 对比 |
![]() | IRLB8748PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 30 V 4.8 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3 | 对比 |
| FDP8874 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB | 对比 |




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