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首页 全部分类 FDPC8014AS vs BSG0811NDATMA1

FDPC8014AS备选型号: BSG0811NDATMA1

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  • 晶体管元件材料
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  • 终端形式
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDPC8014AS
    ON Semiconductor
    MOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    207.7333mg
    20A 40A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.3W
    260
    not_compliant
    未说明
    Dual
    2.1W 2.3W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2375pF @ 13V
    35nC @ 10V
    25V
    40A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSG0811NDATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    19A 41A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2.5W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1100pF @ 12V
    8.4nC @ 4.5V
    -
    41A
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2013
    7
    无铅
    R-PDSO-N7
    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    SWITCHING
    无卤素
    25V
    19A
    0.004Ohm
    160A
    30 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    含铅
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