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首页 全部分类 FDPC8014AS vs FDPC8014S

FDPC8014AS备选型号: FDPC8014S

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  • 场效应管特性
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  • 触点镀层
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  • 终止次数
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  • 通道数量
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FDPC8014AS
    ON Semiconductor
    MOSFET PT9 N 30/12 & PT9 N 25/12S inPowerClip56
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    207.7333mg
    20A 40A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.3W
    260
    not_compliant
    未说明
    Dual
    2.1W 2.3W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2375pF @ 13V
    35nC @ 10V
    25V
    40A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPC8014S
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    207.7333mg
    20A 41A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    2.3W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    2.1W 2.3W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2375pF @ 13V
    35nC @ 10V
    25V
    41A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    2017
    8
    无铅
    2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    16 ns
    SWITCHING
    6ns
    4 ns
    12V
    110A
    75A
    73 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    750μm
    5.1mm
    6.1mm
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