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首页 全部分类 FDPC8014S vs FDMS3620S

FDPC8014S备选型号: FDMS3620S

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDPC8014S
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    23 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    207.7333mg
    SILICON
    20A 41A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2.3W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    16 ns
    2.1W 2.3W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2375pF @ 13V
    35nC @ 10V
    6ns
    25V
    4 ns
    41A
    12V
    110A
    75A
    73 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    5.1mm
    6.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS3620S
    ON Semiconductor
    MOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    17.5A 38A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1W
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    排水源头
    -
    -
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 17.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1570pF @ 13V
    26nC @ 10V
    -
    -
    -
    38A
    12V
    17.5A
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.05mm
    5.1mm
    6.1mm
    ROHS3 Compliant
    Tin (Sn)
    FDMS3620S
    R-PDSO-N6
    Dual
    2.5W
    0.0047Ohm
    25V
    无
    无铅
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