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首页 全部分类 FDPF085N10A vs IPA083N10N5XKSA1

FDPF085N10A备选型号: IPA083N10N5XKSA1

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • ON Semiconductor
    FDPF085N10A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    40A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    Single
    增强型MOSFET
    33.3W
    ISOLATED
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    2695pF @ 50V
    40nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    8 ns
    40A
    TO-220AB
    20V
    0.0085Ohm
    100V
    269 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA083N10N5XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 100V 44A TO220FP-3
    -
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    6.000006g
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    ISOLATED
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.3m Ω @ 44A, 10V
    3.8V @ 49μA
    2730pF @ 50V
    37nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    44A
    TO-220AB
    20V
    0.0083Ohm
    100V
    70 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    1
    无卤素
    100V
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