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首页 全部分类 FDPF10N60NZ vs FCPF11N60

FDPF10N60NZ备选型号: FCPF11N60

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDPF10N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    38W
    ISOLATED
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    750m Ω @ 5A, 10V
    5V @ 250μA
    1475pF @ 25V
    30nC @ 10V
    50ns
    ±25V
    50 ns
    10A
    5V
    TO-220AB
    25V
    0.75Ohm
    600V
    40A
    550 mJ
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF11N60
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET™
    -
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    36W
    ISOLATED
    34 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1490pF @ 25V
    52nC @ 10V
    98ns
    ±30V
    56 ns
    11A
    5V
    TO-220AB
    30V
    -
    600V
    -
    -
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    380MOhm
    600V
    11A
    无铅
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