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首页 全部分类 FDPF2710T vs IRFI4227PBF

FDPF2710T备选型号: IRFI4227PBF

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  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDPF2710T
    ON Semiconductor
    MOSFET 250V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    SILICON
    25A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    42.5MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    62.5W
    ISOLATED
    80 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    42.5m Ω @ 25A, 10V
    5V @ 250μA
    7280pF @ 25V
    101nC @ 10V
    252ns
    ±30V
    154 ns
    25A
    3.9V
    TO-220AB
    30V
    250V
    3.9 V
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFI4227PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 26A TO-220FP
    -
    12 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    SILICON
    26A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Single
    增强型MOSFET
    46W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 17A, 10V
    5V @ 250μA
    4600pF @ 25V
    110nC @ 10V
    19ns
    ±30V
    29 ns
    26A
    5V
    TO-220AB
    30V
    200V
    -
    9.8044mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    0.025Ohm
    100A
    54 mJ
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