Infineon Technologies IRFI4229PBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

46W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍外哑光锡

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

46W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

46m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4480pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

上升时间

17ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

19A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.046Ohm

漏源击穿电压

250V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

高度

9.8mm

长度

10.63mm

宽度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant