FDPF39N20备选型号: IRFB42N20DPBF
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- Trans MOSFET N-CH 200V 39A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB RailACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack32.27gSILICON39A Tc-55°C~150°C TJTube2013UniFET™e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9966MOhmTin (Sn)快速切换Single增强型MOSFET37WISOLATED30 nsN-ChannelSWITCHING66m Ω @ 19.5A, 10V5V @ 250μA2130pF @ 25V49nC @ 10V160ns±30V150 ns39A5VTO-220AB30V200V860 mJ16.07mm10.36mm4.9mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- Single N-Channel 200 V 0.055 Ohm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3-12 Weeks通孔通孔TO-220-33-SILICON44A Tc-55°C~175°C TJTube2001HEXFET®--不用于新设计1 (Unlimited)3EAR9955Ohm--Single增强型MOSFET300WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING55m Ω @ 26A, 10V5.5V @ 250μA3430pF @ 25V140nC @ 10V69ns±30V32 ns44A5.5VTO-220AB30V200V-15.24mm10.5156mm4.69mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free200V42A42.6A200V330 ns5.5 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP34N20 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 31A TO-220 | 对比 | |
![]() | IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB | 对比 |
![]() | IRFB42N20DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Single N-Channel 200 V 0.055 Ohm 91 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3 | 对比 |



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