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FDPF7N60NZ备选型号: FDPF7N50

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • ON Semiconductor
    FDPF7N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
    6 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    2.27g
    SILICON
    40 ns
    2013
    UniFET-II™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.25Ohm
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    33W
    ISOLATED
    17.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.25 Ω @ 3.25A, 10V
    5V @ 250μA
    730pF @ 25V
    17nC @ 10V
    70ns
    ±30V
    60 ns
    6.5A
    TO-220AB
    30V
    600V
    26A
    275 mJ
    4.9mm
    10.36mm
    16.07mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF7N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F
    -
    -
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    2.27g
    SILICON
    7A Tc
    2004
    UniFET™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    哑光锡
    Single
    增强型MOSFET
    31.3W
    ISOLATED
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 3.5A, 10V
    5V @ 250μA
    940pF @ 25V
    16.6nC @ 10V
    55ns
    ±30V
    35 ns
    7A
    TO-220AB
    30V
    500V
    20A
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    -
    未说明
    未说明
    5A
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