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首页 全部分类 FDR8702H vs FDR8308P

FDR8702H备选型号: FDR8308P

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  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • ON Semiconductor
    FDR8702H
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.6A/2.6A 8-Pin SuperSOT T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)
    8
    3.6A 2.6A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    800mW
    3.6A
    800mW
    N and P-Channel
    38m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    650pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    11ns
    2.6A
    8V
    20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDR8308P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 8-Pin SuperSOT T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-LSOP (0.130, 3.30mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    800mW
    -3.2A
    800mW
    2 P-Channel (Dual)
    50m Ω @ 3.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1240pF @ 10V
    19nC @ 4.5V
    15ns
    3.2A
    8V
    -20V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    -20V
    20V
    15 ns
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDR8308P FDR8308P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-LSOP (0.130, 3.30mm Width) Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 8-Pin SuperSOT T/R 对比