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首页 全部分类 FDS2582 vs FDS86252

FDS2582备选型号: FDS86252

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDS2582
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    11 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    4.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    66MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    150V
    DUAL
    鸥翼
    4.1A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    66m Ω @ 4.1A, 10V
    4V @ 250μA
    1290pF @ 25V
    25nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    26 ns
    4.1A
    4V
    20V
    150V
    150V
    252 mJ
    4 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS86252
    ON Semiconductor
    FDS86252 Series 150 V 4.5 A 55 mOhm N-Channel PowerTrench MOSFET - SOIC-8
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2008
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    -
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    5W
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    55m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    955pF @ 75V
    15nC @ 10V
    1.6ns
    ±20V
    2.9 ns
    4.5A
    3.4V
    20V
    150V
    -
    -
    3.4 V
    1.5mm
    4mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    0.055Ohm
    5 pF
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