您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDS2672-F085 vs IRF7492PBF

FDS2672-F085备选型号: IRF7492PBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDS2672-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    SILICON
    3.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    70m Ω @ 3.9A, 10V
    4V @ 250μA
    2535pF @ 100V
    46nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    10 ns
    3.9A
    20V
    0.07Ohm
    200V
    45 pF
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7492PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    15 ns
    N-Channel
    -
    79mOhm @ 2.2A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1820pF @ 25V
    59nC @ 10V
    13ns
    ±20V
    14 ns
    3.7A
    20V
    -
    200V
    -
    无
    符合RoHS标准
    8-SO
    2006
    150°C
    -55°C
    200V
    2.5V
    200V
    1.82nF
    100 ns
    79mOhm
    79 mΩ
    2.5 V
    4.9784mm
    1.4986mm
    4.05mm
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDS2672 FDS2672 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R 对比
FDS2582 FDS2582 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 对比
STS5N15F4 STS5N15F4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-channel 150 V StripFET 对比