Infineon Technologies IRF7492PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A Ta

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

系列

HEXFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

79mOhm @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1820pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

59nC @ 10V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

3.7A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

输入电容

1.82nF

恢复时间

100 ns

漏源电阻

79mOhm

最大rds

79 mΩ

栅源电压

2.5 V

长度

4.9784mm

高度

1.4986mm

宽度

4.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅