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首页 全部分类 FDS2734 vs IRF7820TRPBF

FDS2734备选型号: IRF7820TRPBF

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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    FDS2734
    ON Semiconductor
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8; UltraFET®
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    9 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    117MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    250V
    DUAL
    鸥翼
    3A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    23 ns
    N-Channel
    117m Ω @ 3A, 10V
    4V @ 250μA
    2610pF @ 100V
    45nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    11 ns
    3A
    3V
    20V
    3A
    250V
    50A
    250V
    3 V
    1.5mm
    4mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7820TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    7.1 ns
    N-Channel
    78m Ω @ 2.2A, 10V
    5V @ 100μA
    1750pF @ 100V
    44nC @ 10V
    3.2ns
    ±20V
    12 ns
    3.7A
    4V
    20V
    -
    -
    -
    -
    4 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    200V
    200V
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