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首页 全部分类 FDS4435 vs FDS4435BZ

FDS4435备选型号: FDS4435BZ

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 最大结点温度（Tj）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDS4435
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    8.8A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    20MOhm
    -30V
    -8.8A
    Single
    2.5W
    P-Channel
    20m Ω @ 8.8A, 10V
    3V @ 250μA
    1604pF @ 15V
    24nC @ 5V
    13.5ns
    30V
    ±25V
    25 ns
    8.8A
    -1.7V
    25V
    -30V
    -30V
    -1.7 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS4435BZ
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    8.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    20MOhm
    -30V
    -8.8A
    Single
    2.5W
    P-Channel
    20m Ω @ 8.8A, 10V
    3V @ 250μA
    1845pF @ 15V
    40nC @ 10V
    13ns
    30V
    ±25V
    38 ns
    -8.8A
    -2.1V
    25V
    -30V
    -
    -2.1 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    Tin
    SILICON
    e3
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    1
    增强型MOSFET
    10 ns
    SWITCHING
    150°C
    345 pF
    1.75mm
    5mm
    4mm
    无
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