ON Semiconductor FDS4435
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FDS4435
1807-FDS4435
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
--最小包装量--
FDS4435详情
ON Semiconductor FDS4435重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
130mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
42 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2001
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
20MOhm
电压 - 额定直流
-30V
额定电流
-8.8A
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 8.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1604pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 5V
上升时间
13.5ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
8.8A
阈值电压
-1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
-30V
双电源电压
-30V
栅源电压
-1.7 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS4435拓展信息
ON Semiconductor
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