FDS4897C备选型号: IRF9389TRPBF
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- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 场效应管技术
- 场效应管特性
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- 长度
- 宽度
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- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 基本部件号
- 元素配置
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N/P-CH 40V 8-SOICACTIVE (Last Updated: 1 day ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON6.2A 4.4A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2005e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR9929MOhm900mWDUAL鸥翼增强型MOSFET2WN and P-ChannelSWITCHING29m Ω @ 6.2A, 10V3V @ 250μA760pF @ 20V20nC @ 10V15nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL18 ns4.4A1.9V20V40VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
- MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO-12 Weeks-表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-SILICON6.8A 4.6A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008--活跃1 (Unlimited)8EAR99-2W-鸥翼增强型MOSFET2WN and P-ChannelSWITCHING27m Ω @ 6.8A, 10V2.3V @ 10μA398pF @ 15V14nC @ 10V14nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL15 ns4.6A1.8V20V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅IRF9389Dual34A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS4897AC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO | 对比 | |
| FDS8958A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC | 对比 | |
![]() | IRF9389TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | 对比 |



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