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首页 全部分类 FDS4935A vs IRF9362TRPBF

FDS4935A备选型号: IRF9362TRPBF

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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
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  • 端子表面处理
  • 基本部件号
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDS4935A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    23MOhm
    -30V
    900mW
    鸥翼
    -7A
    30V
    Dual
    7A
    增强型MOSFET
    1.6W
    13 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    23m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    1233pF @ 15V
    21nC @ 5V
    10ns
    25 ns
    7A
    -1.6V
    20V
    -30V
    -30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1.6 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9362TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    21MOhm
    -
    2W
    鸥翼
    -
    -
    Dual
    -
    增强型MOSFET
    2W
    5.2 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    21m Ω @ 8A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1300pF @ 25V
    39nC @ 10V
    5.9ns
    53 ns
    -8A
    -1.8V
    20V
    -30V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Matte Tin (Sn)
    IRF9362PBF
    30V
    8A
    64A
    94 mJ
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NTMS4800NR2G NTMS4800NR2G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC 对比