ON Semiconductor FDS4935A
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FDS4935A
1807-FDS4935A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC
--最小包装量--
FDS4935A详情
ON Semiconductor FDS4935A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
48 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
23MOhm
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
900mW
终端形式
鸥翼
额定电流
-7A
电压
30V
元素配置
Dual
电流
7A
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1233pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21nC @ 5V
上升时间
10ns
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
7A
阈值电压
-1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-30V
双电源电压
-30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
-1.6 V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS4935A拓展信息









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