FDS6685备选型号: IRF7416TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 行间距
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8.8A Ta3V @ 250μAPowerTrench®2001-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)-30V-8.8A12.5W13 nsP-Channel20m Ω @ 8.8A, 10V1604pF @ 15V24nC @ 5V13.5ns30V±25V25 ns8.8A25V-30V175°C1.75mm符合RoHS标准无铅--------------------------
- MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)10A Ta1V @ 250μAHEXFET®2005-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-30V-10A12.5W18 nsP-Channel20m Ω @ 5.6A, 10V1700pF @ 25V92nC @ 10V49ns30V±20V60 ns-10A20V-30V150°C1.75mmROHS3 Compliant无铅12 WeeksTin8SILICONe38SMD/SMTEAR9920mOhm超低电阻DUAL鸥翼6.3 mmSingle增强型MOSFETSWITCHING-2.04V45A-30V370 mJ85 ns-20 V4.9784mm3.9878mm无SVHC无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7416TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | 对比 |



哦! 它是空的。