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首页 全部分类 FDS6694 vs IRF8721PBF

FDS6694备选型号: IRF8721PBF

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDS6694
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    12A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2004
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    Single
    2.5W
    N-Channel
    11m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1293pF @ 15V
    19nC @ 5V
    6ns
    ±20V
    10 ns
    12A
    20V
    30V
    30V
    2 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8721PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    14A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2007
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    2.5W
    N-Channel
    8.5m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1040pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    11ns
    ±20V
    7 ns
    14A
    20V
    30V
    -
    2.35 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    39 Weeks
    EAR99
    8.5MOhm
    8.2 ns
    2.35V
    21 ns
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
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