FDS6812A备选型号: FDS6892A
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 终端形式
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mg2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)35MOhm20V900mW6.7ADual2W2 N-Channel (Dual)22m Ω @ 6.7A, 4.5V1.5V @ 250μA1082pF @ 10V19nC @ 4.5V8ns8 ns6.7A12V20V逻辑电平门符合RoHS标准无铅-------------------------
- Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mg2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®活跃1 (Unlimited)18MOhm20V2W7.5ADual2W2 N-Channel (Dual)18m Ω @ 7.5A, 4.5V1.5V @ 250μA1333pF @ 10V17nC @ 4.5V15ns9 ns7.5A12V20V逻辑电平门ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTinSILICON2017e3yes8SMD/SMTEAR99鸥翼增强型MOSFET8 ns900mWSWITCHING900mV30A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR900 mV1.5mm5mm4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7401TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC | 对比 |



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