ON Semiconductor FDS6812A
- 收藏
- 对比
FDS6812A
1807-FDS6812A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
--最小包装量--
FDS6812A详情
ON Semiconductor FDS6812A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
230.4mg
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
35MOhm
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
900mW
额定电流
6.7A
元素配置
Dual
功率耗散
2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 6.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1082pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 4.5V
上升时间
8ns
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
6.7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDS6812A拓展信息









哦! 它是空的。