FDS6892A备选型号: FDS6898AZ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)8SMD/SMTEAR9918MOhm20V2W鸥翼7.5ADual增强型MOSFET2W8 ns900mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING18m Ω @ 7.5A, 4.5V1.5V @ 250μA1333pF @ 10V17nC @ 4.5V15ns9 ns7.5A900mV12V20V30A20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门900 mV1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOICACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8187mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-e3yes活跃1 (Unlimited)8SMD/SMTEAR9914MOhm20V2W鸥翼9.4ADual增强型MOSFET2W10 ns900mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING14m Ω @ 9.4A, 4.5V1.5V @ 250μA1821pF @ 10V23nC @ 4.5V15ns16 ns9.4A1V12V20V-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1 V1.5mm5mm4mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅防静电未说明未说明不合格
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6898AZ | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC | 对比 | |
![]() | IRF7401TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC | 对比 |
| FDS6898A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | 对比 |



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