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首页 全部分类 FDS6898A vs DMN2028USS-13

FDS6898A备选型号: DMN2028USS-13

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  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管技术
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  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 端子位置
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  • 引脚数量
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    FDS6898A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    14MOhm
    20V
    2W
    鸥翼
    9.4A
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    10 ns
    900mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    14m Ω @ 9.4A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1821pF @ 10V
    23nC @ 4.5V
    15ns
    16 ns
    9.4A
    500mV
    12V
    20V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1 V
    1.75mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2028USS-13
    Diodes Incorporated
    20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8
    -
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    7.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.56W
    11.67 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 9.4A, 4.5V
    1.3V @ 250μA
    1000pF @ 10V
    11.6nC @ 4.5V
    12.49ns
    12.33 ns
    9.8A
    1V
    12V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Matte Tin (Sn)
    ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY
    DUAL
    260
    40
    8
    ±8V
    5.6A
    0.02Ohm
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