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首页 全部分类 FDS6911 vs IRF8915TRPBF

FDS6911备选型号: IRF8915TRPBF

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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • ON Semiconductor
    FDS6911
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    20V
    900mW
    鸥翼
    7.5A
    Dual
    增强型MOSFET
    1.6W
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    13m Ω @ 7.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1130pF @ 15V
    24nC @ 10V
    5ns
    5 ns
    7.5A
    20V
    0.013Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    1.575mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8915TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    20V
    2W
    -
    8.9A
    Dual
    -
    2W
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    18.3m Ω @ 8.9A, 10V
    2.5V @ 250μA
    540pF @ 10V
    7.4nC @ 4.5V
    12ns
    3.6 ns
    8.9A
    20V
    -
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18.3MOhm
    IRF8915PBF
    2.5V
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